Sposób na energię słoneczną
19 czerwca 2008, 10:44Na podstawie podpisanej właśnie umowy IBM i Tokyo Ohka Kogyo będą pracowały nad procesem technologicznym, materiałami i narzędziami do produkcji wydajnych i tanich cienkich ogniw słonecznych typu CIGS (miedź-ind-gal-diselen).
Qualcomm nie zgodzi się na przejęcie przez Broadcom?
13 listopada 2017, 10:27W mediach pojawiły się nieoficjalne informacje, z których wynika, że Qualcomm odrzuci ofertę Broadcoma, który zaoferował 130 miliardów dolarów za przejęcie Qualcomma. Zarząd przedsiębiorstwa miał uznać, że oferowana cena jest zbyt niska
65 już gotowe
6 października 2006, 10:33Advanced Micro Devices zatwierdziło 65-nanometrowy proces produkcyjny, który został wdrożony przez Chartered Semiconductor. Tym samym w fabrykach singapurskiego producenta można rozpocząć tworzenie 65-nanometrowych procesorów AMD.
Intel producentem FPGA na zamówienie
2 listopada 2010, 16:24Po raz pierwszy w historii Intel będzie produkował układy scalone na zlecenie mniejszej firmy. Pierwszym klientem Intela został Achronix Semiconductor, który będzie zamawiał kości FPGA wykonane w technologii 22 nanometrów.
Po raz pierwszy udało się uzyskać kondensat Bosego-Einsteina z kwazicząstek
27 października 2022, 10:41Na Uniwersytecie Tokijskim powstał kondensat Bosego-Einsteina zbudowany z kwazicząstek. Kwazicząstki nie są cząstkami elementarnymi, ale posiadają niektóre z ich cech, jak ładunek czy spin. Przez dziesięciolecia nie było wiadomo, czy kwazicząstki mogą utworzyć kondensat Bosego-Einsteina tak, jak czynią to cząstki. Japońscy naukowcy dowiedli, że mogą, a ich odkrycie może mieć duży wpływ na rozwój technologii kwantowych.
IBM pracuje nad pamięciami nowej generacji
20 sierpnia 2007, 10:03IBM i TDK wspólnie pracują nad nowym rodzajem pamięci nieulotnej o nazwie spin torque transfer RAM (STT-RAM). Jednocześnie IBM przyznał, że nie widzi przyszłości przed technologią MRAM, nad którą dotychczas pracował.
Molekuły POM przyszłością pamięci flash?
21 listopada 2014, 13:26Nowa molekuła może być odpowiedzią na ograniczoną pojemność układów flash. Komponenty MOS (metal-oxide-semiconductor) wykorzystywane do produkcji pamięci flash są ograniczone fizycznym limitem wielkości komórki pamięci. Bardzo trudno bowiem jest je zmniejszyć poniżej 10 nanometrów, co ogranicza liczbę komórek, jakie można umieścić na tradycyjnym krzemowym układzie.
Nie będzie podziału AMD
29 lipca 2008, 10:17AMD oficjalnie zaprzeczyło informacjom o podziale firmy. W oświadczeniu przedsiębiorstwa czytamy, że jego nowy prezes, Dirk Meyer, został źle zrozumiany. Podkreślono, iż ewentualny podział należy traktować tylko i wyłącznie w kategoriach plotki.
Chińczycy potrafią wyprodukować 32-warstwowy 3D NAND
15 listopada 2017, 11:44Chiński przemysł IT wciąż jest mniej zaawansowany niż zagraniczni konkurenci, ale jego przedstawiciele nie spoczywają na laurach. Firma Yangtze River Storage Technology, należąca do Tsinghua Unigroup poinformowała o stworzeniu 32-warstwowego układu 3D NAND
Tłuste lata półprzewodników
20 listopada 2006, 13:19Przemysł półprzewodnikowy w najbliższym czasie nie będzie miał najmniejszych powodów do zmartwień. Semiconductor Industry Association (SIA) poinformowała, że w roku 2008 obroty całego przemysłu półprzewodników wzrosną do 303,4 miliarda dolarów.
« poprzednia strona następna strona » 1 2 3 4 5 6 7 8 9
